| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675963613 |
| Дата корректировки | 15:44:06 2 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.05.49264.9339 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Тандоев, А. Г. | |
|
S-образные вольт-амперные характеристики мощных диодов Шоттки при больших плотностях тока Электронный ресурс |
|
| S-type current–voltage characteristics of Schottky diodes at high current densities | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 19 назв. |
| Аннотация | Проведен последовательный учет влияния совокупности квазинейтральных режимов переноса носителей заряда в полупроводниках, включающей в себя наряду с диффузией и дрейфом обнаруженный недавно режим диффузии, стимулированной квазинейтральным дрейфом (DSQD). Исследован порядок смены режимов переноса носителей заряда в структурах диода Шоттки, и показано, к каким особенностям вольт-амперных характеристик это может приводить. Результаты аналитического исследования особенностей проверены и подтверждены с помощью численного моделирования. |
| Ключевые слова | вольт-амперные характеристики |
|
мощные диоды Шоттки диоды Шоттки режимы переноса носителей перенос носителей заряда полупроводники полупроводниковая электроника |
|
|
Мнацаканов, Т. Т. Юрков, С. Н. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 5. - С. 470-477 |
|
| Имя макрообъекта | Тандоев_S-образные |
| Тип документа | b |
