| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675939993 |
| Дата корректировки | 9:43:08 2 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2019.01.46909.220 | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Ганцевич, С. В. | |
|
Увлечение электронов в полупроводниковой наноструктуре потоком нейтральных частиц Электронный ресурс |
|
| Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
| Аннотация | Рассматривается увлечение носителей тока (электронов) в двумерной полупроводниковой наноструктуре при движении вблизи ее поверхности потока нейтральных частиц (атомов или молекул). Показано, что увлечение по физическому механизму похоже увлечению электронов ионным пучком в квантовых проволоках, рассмотренному ранее в работах В. Л. Гуревича и М. И. Мурадова. |
| Ключевые слова | наноструктуры |
|
полупроводниковые наноструктуры увлечение электронов нейтральные частицы поток нейтральных частиц |
|
| Другие авторы | Гуревич, В. Л. |
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 61, вып. 1. - С. 174-177 |
| Имя макрообъекта | Ганцевич_увлечение |
| Тип документа | b |
