| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Исследование свойств двумерных пленок МоS[2] и WS[2] , синтезированных химическим газофазным методом Электронный ресурс |
|
| Аннотация | В данной работе были синтезированы пленки дисульфида молибдена и дисульфида вольфрама методом химического газового осаждения (CVD). Найден набор оптимальных параметров синтеза (температура, время, количество и соотношение прекурсоров), которые позволяют выращивать домены МоS[2] c максимальными латеральными размерами до 250 мкм на сапфире, и домены МоS[2] и WS[2] до 80 мкм на SiO[2]. В результате сращивания доменов были получены однородные однослойные пленки МоS[2]. Спектры комбинационного рассеяния света синтезированных пленок имеют два характерных пика, соответствующих колебаниям атомов в MoS[2] и WS[2]. Обнаружена фотолюминесценция однослойных и двухслойных пленок МоS[2] с максимумом интенсивности фотолюминесценции на 670 ± 2 нм и однослойных пленок WS[2] с максимумом на 630 ± 2 нм. Измерены спектральные карты фотолюминесценции, зависимость интенсивности фотолюминесценци от длины волны люминесценции и от длины волны возбуждающего света. Согласно измерениям спектр возбуждения фотолюминесценци МоS[2] имеет максимум на 350 ± 5нм, а возбуждения фотолюминесценци WS[2] - максимум на 330 ± 5 нм. Вольт-амперные характеристики синтезированных пленок являются фоточувствительными в видимой области спектра. |
| Ключевые слова | графен |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 4. - С. 376-387 |
|
| Имя макрообъекта | Смагулова_исследование |
