| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675871931 |
| Дата корректировки | 14:14:42 1 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.04.49135.9293 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Сейсян, Р. П. | |
|
Температурно-зависимое интегральное поглощение экситонных поляритонов в полупроводниковых кристаллах Электронный ресурс |
|
| Temperature-dependent integrated absorption of excitonic polaritons in bulk semiconductors | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 25 назв. |
| Аннотация | Данная работа выделяет экспериментальное использование температурного фактора при изучении интегрального поглощения как метода экспериментального подтверждения и исследования механизма экситон-поляритонного светопереноса вблизи края фундаментального поглощения в полупроводниковых кристаллах с пространственной дисперсией. Обобщены результаты экспериментальных исследований температурно-зависимого интегрального экситонного поглощения, приведены экспериментально определенные значения критической температуры, выше которой интегральное поглощение становится постоянным, соответствующие ему значения критического параметра затухания и продольно-поперечного расщепления для исследованных авторами полупроводников CdTe, GaAs, InP, ZnSe, ZnTe. |
| Ключевые слова | экситонное поглощение |
|
интегральное поглощение температурно-зависимое поглощение экситонные поляритоны полупроводниковые кристаллы |
|
| Ваганов, С. А. | |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 4. - С. 327-330 |
|
| Имя макрообъекта | Сейсян_температурно |
| Тип документа | b |
