| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675870700 |
| Дата корректировки | 14:01:26 1 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.04.49134.9318 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Порцель, Л. М. | |
|
Исследование примеси магния в кремнии Электронный ресурс |
|
| Study of magnesium impurity in silicon | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 31 назв. |
| Аннотация | Измерены диффузионные профили концентрации электрически активной и полной концентрации примеси магния в кремнии. Диффузия проводилась сэндвич-методом в бестигельный бездислокационный кремний n-типа проводимости при температурах T[diff] = 1000, 1100°С и длительности процесса от 0.5 до 22.5 ч. Профили концентрации электрически активной компоненты магния N[Mg][i] (x) определяли методом дифференциальной проводимости, профили полной концентрации N[total](x) - методом вторично-ионной масс-спектроскопии. Установлено, что полная концентрация магния в образцах на ~ 2 порядка превосходит концентрацию электрически активной компоненты. Обнаружено также, что коэффициент диффузии межузельного магния, D[Mg][i], зависит от времени диффузии и уменьшается при увеличении длительности процесса. Высказаны предположения о физических процессах, которые могут приводить к образованию электрически неактивной компоненты примеси магния и зависимости эффективного коэффициента диффузии от времени. |
| Ключевые слова | легирование кремния магнием |
|
диффузия примесные центры собственные дефекты магний кремний |
|
|
Шуман, В. Б. Лаврентьев, А. А. Лодыгин, А. Н. Абросимов, Н. В. Астров, Ю. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 4. - С. 321-326 |
|
| Имя макрообъекта | Порцель_исследование |
| Тип документа | b |
