| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675770448 |
| Дата корректировки | 10:06:41 31 мая 2021 г. |
| Стандартный номер | 10.21883/FTP.2020.03.49025.9249 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Григорьев, М. В. | |
|
Роль структурных несовершенств графена в резонансном туннелировании через локализованные состояния в h-BN барьере ван-дер-ваальсовых гетероструктур Электронный ресурс |
|
| The role of structural imperfections of graphene in resonant tunneling through localized states in the h-BN barrier of van der Waals heterostructures | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | цв. ил. |
| Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
| Аннотация | Исследовано резонансное туннелирование через уровни дефектов в h-BN барьере ван-дер-ваальсовых гетероструктур. Обнаружен эффект мультиплицирования туннельных резонансов через эти уровни, обусловленный влиянием высокой дефектности структуры соседнего слоя графена, созданной нами преднамеренно с помощью его обработки в плазме. Обсуждены различные механизмы такого влияния. |
| Новосёлов, К. С. | |
| Ключевые слова | графен |
|
ван-дер-ваальсовы гетероструктуры гетероструктуры дефекты кристаллической решетки нитрид бора туннельные транзисторы резонансное туннелирование |
|
|
Казарян, Д. А. Вдовин, Е. Е. Ханин, Ю. Н. Морозов, С. В. Новоселов, К. С. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 54, вып. 3. - С. 238-243 |
| Имя макрообъекта | Григорьев_роль |
| Тип документа | b |
