Поиск

Структурное и диэлектрическое исследование тонких аморфных слоев системы Ge-Sb-Te, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления

Авторы: Кастро Арата, Р. А. Стожаров, В. М. Долгинцев, Д. М. Кононов, А. А. Сайто, Ю. Фонс, П. Томинага, Дж. Анисимова, Н. И. Колобов, А. В.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Структурное и диэлектрическое исследование тонких аморфных слоев системы Ge-Sb-Te, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления
Электронный ресурс
Аннотация Представлены результаты исследования структуры и процессов диэлектрической релаксации в тонких слоях системы Ge-Sb-Te. Обнаруженные дисперсия диэлектрической проницаемости и существование максимумов диэлектрических потерь в области низких частот объясняются структурными особенностями аморфной фазы исследуемых соединений.
Ключевые слова тонкие аморфные слои
Физика и техника полупроводников
2020
Т. 54, вып. 2. - С. 149-152
Имя макрообъекта Кастро Арата_структурное