Индекс УДК | 621.315.592 |
Структурное и диэлектрическое исследование тонких аморфных слоев системы Ge-Sb-Te, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления Электронный ресурс |
|
Аннотация | Представлены результаты исследования структуры и процессов диэлектрической релаксации в тонких слоях системы Ge-Sb-Te. Обнаруженные дисперсия диэлектрической проницаемости и существование максимумов диэлектрических потерь в области низких частот объясняются структурными особенностями аморфной фазы исследуемых соединений. |
Ключевые слова | тонкие аморфные слои |
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 2. - С. 149-152 |
|
Имя макрообъекта | Кастро Арата_структурное |