| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675527028 |
| Дата корректировки | 14:42:18 28 мая 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2019.01.46892.169 | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Максимов, В. И. | |
|
О возможных состояниях кристаллической структуры, предшествующих фазовому переходу в кристаллах Zn[1-x]V[x]Se (0.01 < или = x < или = 0.10) Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 52 назв. |
| Аннотация | В результате подробного нейтронографического исследования объемных полупроводниковых кристаллов ZnSe с повышенным содержанием ванадия, охарактеризованы проявившиеся систематические новые образования в обратной решетке кубической структурной модификации соединения II-VI. Впервые получены прямые доказательства того, что обнаруживаемые нейтронным рассеянием на исследованных кристаллах дополнительные узлы k = (1/3 1/3 1/3) 2пи/a (k - волновой вектор, a - параметр кубической элементарной ячейки) в случае их принадлежности к взаимопроникающим повернутым подрешеткам содержат сверхструктурный вклад, формируемый коротковолновыми деформациями. Определяя описанное структурное состояние кристаллов как предпереходное к концентрационной фазовой трансформации ГЦК - ГПУ, и рассматривая переходы по звезде волнового вектора k5 ГЦК-решетки, для перехода по однолучевому каналу указаны базисные функции, позволяющие анализировать атомные смещения, корреляции между которыми порождают сверхструктуры дисторсионного типа. |
| Ключевые слова | кристаллы |
|
полупроводниковые кристаллы объемные полупроводниковые кристаллы фазовые переходы состояния кристаллической структуры |
|
| Другие авторы | Максимова, Е. Н. |
|
Суркова, Т. П. Вохмянин, А. П. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 61, вып. 1. - С. 42-52 |
| Имя макрообъекта | Максимов_о возможных |
| Тип документа | b |
