| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675444070 |
| Дата корректировки | 15:24:31 27 мая 2021 г. |
| Стандартный номер | 10.21883/FTP.2020.01.48770.9143 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Гладилин, А. А. | |
|
Исследование мощности люминесценции экситонов и примесно-дефектных центров, возбуждаемых с помощью двухфотонного поглощения Электронный ресурс |
|
| Study of the luminescence power of excitons and isolated defect centers excited by two-photon absorption | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 11 назв. |
| Аннотация | На примере монокристаллов ZnSe : Fe{2+} экспериментально и теоретически исследуется влияние средней мощности фемтосекундного лазерного излучения на среднюю мощность люминесценции экситонов и примесно-дефектных центров при двухфотонном возбуждении электронной системы кристалла. Экспериментально показано, что средняя мощность люминесценции экситонов кристалла в исследованном диапазоне мощностей возбуждения пропорциональна 4-й степени средней мощности возбуждающего излучения. Средняя мощность люминесценции примесно-дефектных центров имеет квадратичный характер. Построена теория, объясняющая наблюдаемые экспериментально зависимости. Отмечается, что характер зависимости люминесценции кристалла от мощности накачки при двухфотонном возбуждении может быть использован для оценки степени загрязнения кристалла примесно-дефектными центрами. |
|
люминесценция экситоны полупроводники двухфотонное возбуждение люминесценции двухфотонное поглощение примесно-дефектные центры |
|
|
Данилов, В. П. Ильичев, Н. Н. Калинушкин, В. П. Студеникин, М. И. Уваров, О. В. Чапнин, В. А. Рябова, А. В. Сидорин, А. В. Гулямова, Э. С. Туморин, В. В. Пашинин, П. П. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 1. - С. 48-54 |
|
| Имя макрообъекта | Гладилин_исследование |
| Тип документа | b |
