| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675269546 |
| Дата корректировки | 15:01:46 25 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Шамирзаев, В. Т. | |
|
Краевая и дефектная люминесценция мощных InGaN/GaN ультрафиолетовых светоизлучающих диодов Электронный ресурс |
|
| Edge and defect luminescence of powerful InGaN / GaN ultraviolet light-emitting diodes | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 27 назв. |
| Аннотация | Приведены результаты исследования спектрального состава излучения ультрафиолетовых InGaN/GaN светоизлучающих диодов и его зависимости от текущего через структуру тока. Интенсивность ультрафиолетового вклада в интегральную люминесценцию диода монотонно возрастает с ростом плотности текущего через структуру тока, несмотря на падение квантовой эффективности излучения. Установлены условия возбуждения электролюминесценции, позволяющие увеличить долю ультрафиолетового излучения до 97%. Показано, что неоднородная генерация протяженных дефектов, пронизывающих активную область светодиодов в процессе деградации структур при локальном токовом перегреве уменьшает интегральную интенсивность излучения, но не оказывает влияния на относительную интенсивность излучения диода в ультрафиолетовой (370 нм) и видимой (550 нм) областях спектра. |
| Ключевые слова | люминесценция |
|
ультрафиолетовые светоизлучающие диоды светоизлучающие диоды широкозонные полупроводники полупроводники электролюминесценция гетероструктуры нитрид индия-галлия нитрид галлия |
|
|
Гайслер, В. А. Шамирзаев, Т. С. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 11. - С. 1513-1518 |
|
| Имя макрообъекта | Шамирзаев_краевая |
| Тип документа | b |
