| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675252098 |
| Дата корректировки | 10:27:15 25 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Можаров, А. М. | |
|
Численное моделирование характеристик солнечных элементов на основе GaPNAs/Si гетероструктур и GaN нитевидных нанокристаллов Электронный ресурс |
|
| Numerical modeling of properties of solar cell based on GaPNAs/Si heterostructure and GaN nanowires | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 18 назв. |
| Аннотация | С помощью методов численного моделирования рассмотрены режимы работы и определены конструкции солнечных элементов комбинированной размерности на основе планарной гетероструктуры GaPNAs/Si и массива GaN нитевидных нанокристаллов. Показано, что массив GaN нитевидных нанокристаллов обладает антиотражающими свойствами на уровне не хуже 2.5% при освещении солнечным спектром AM1.5D. Наибольшее влияние на эффективность работы солнечных элементов оказывают времена жизни неосновных носителей заряда и толщина фотоактивных слоев. Продемонстрировано, что эффективность двухпереходных солнечных элементов, состоящих из перехода на основе твердого полупроводникового раствора GaPNAs и массива GaN нитевидных нанокристаллов на Si подложке, достигает 32% при AM1.5D. |
| Ключевые слова | численное моделирование |
|
гетероструктуры нитевидные нанокристаллы полупроводниковые соединения полупроводники нитридные твердые растворы |
|
|
Кудряшов, Д. А. Большаков, А. Д. Цырлин, Г. Э. Гудовских, А. С. Мухин, И. С. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 11. - С. 1543-1547 |
| Имя макрообъекта | Можаров_численное |
| Тип документа | b |
