| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675187397 |
| Дата корректировки | 16:30:43 24 мая 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2020.10.49931.097 | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Комолов, А. С. | |
|
Незаполненные электронные состояния ультратонких пленок тиофен-фенилен со-олигомеров на поверхности поликристаллического золота Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 38 назв. |
| Аннотация | Приведены результаты исследования незаполненных электронных состояний в энергетическом диапазоне от 5 до 20 eV выше уровня Ферми ультратонких пленок диметил-замещенных тиофен-фенилен со-олигомеров СH[3]-фенилен-тиофен-тиофен-фенилен-СH[3] (СH[3]-PTTP-CH[3]) на два вида поверхности поликристаллического золота: ex situ Au слоя, термически осажденного в отдельной камере, и на поверхности in situ Au, приго- товленной внутри аналитической камеры. Исследования структуры пленок проводили методом дифракции рентгеновских лучей (X-ray diffraction, XRD). Обсуждается формирование суперпозиции аморфной фазы и кристаллической с периодом 3.8 nm. Исследования энергетического расположения максимумов незаполненных электронных состояний и характера формирования пограничного потенциального барьера проводили методом спектроскопии полного тока (СПТ). Структура максимумов ТССПТ пленки СH[3]-PTTP-СH[3] толщиной 5-7 nm не отличалась при использовании разных видов Au подложек и поверхности полупроводника ZnO, приготовленной методом молекулярного наслаивания (atomic layer deposition, ALD). При осаждении слоя СH[3]-PTTP-СH[3] как на поверхность ex situ Au, так и на поверхность in situ Au наблюдалось незначительное, около 0.1 eV, повышение электронной работы выхода с увеличением толщины покрытия до 5.7 nm. При таких толщинах пленок СH[3]-PTTP-СH[3] значения электронной работы выхода составили 4.7 ± 0.1 eV в случае подложки ex situ Au и 4.9 ± 0.1 eV в случае подложки in situ Au. Обсуждается возможное влияние процессов физико-химического взаимодействия на границе пленки и подложки на формирование пограничного потенциального барьера в исследованных структурах. |
| Ключевые слова | пленки |
|
ультратонкие пленки тиофен-фенилен со-олигомеры поверхность поликристаллического золота оксид цинка электронные свойства низкоэнергетическая электронная спектроскопия метод дифракции рентгеновских лучей метод молекулярного наслаивания |
|
| Другие авторы | Лазнева, Э. Ф. |
|
Герасимова, Н. Б. Соболев, В. С. Пшеничнюк, С. А. Борщев, О. В. Пономаренко, С. А. Handke, B. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 62, вып. 10. - С. 1741-1746 |
| Имя макрообъекта | Комолов_незаполненные |
| Тип документа | b |
