| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675186280 |
| Дата корректировки | 15:57:40 24 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Калентьева, И. Л. | |
|
Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным дельта-легированным Mn слоем GaAs Электронный ресурс |
|
| Thermal annealing effects on photoluminescence of the structures with InGaAs/GaAs quantum wells and low temperature delta-doped Mn GaAs layer | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 24 назв. |
| Аннотация | Исследовано влияние термических изохронных отжигов (325-725°C) на излучательные свойства InGaAs/GaAs гетеронаноструктур, содержащих низкотемпературный дельта-легированный Mn слой GaAs, выращенный методом лазерного осаждения. Наблюдается спад интенсивности фотолюминесценции и увеличение энергии основного перехода при термическом воздействии для квантовых ям, расположенных вблизи низко-температурного слоя GaAs. Вторичной ионной масс-спектрометрией получено распределение атомов Mn в исходных и отожженных структурах. Обсуждается качественная модель наблюдаемого влияния термического отжига на излучательные свойства структур, которая учитывает наличие двух основных процессов: диффузии точечных дефектов (в первую очередь вакансий галлия) из покровного слоя GaAs в глубь структуры и диффузии Mn в обоих направлениях по диссоциативному механизму. Исследования намагниченности показали, что в результате термических отжигов происходит возрастание доли ферромагнитной при комнатной температуре фазы (предположительно, кластеров MnAs) в низкотемпературном покровном слое. |
| Ключевые слова | термический отжиг |
|
фотолюминесценция квантовые ямы термические изохронные отжиги лазерное осаждение гетероструктуры дельта-легированный марганец арсенид индия-галлия арсенид галлия спиновые светоизлучающие диоды МОС-гидридная эпитаксия импульсное лазерное осаждение полупроводники |
|
|
Вихрова, О. В. Данилов, Ю. А. Звонков, Б. Н. Кудрин, А. В. Дроздов, М. Н. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 11. - С. 1490-1496 |
| Имя макрообъекта | Калентьева_влияние |
| Тип документа | b |
