| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675183603 |
| Дата корректировки | 15:10:09 24 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Жукавин, Р. Х. | |
|
Поглощение и излучение в терагерцовом диапазоне частот при фотоионизации акцепторов в одноосно-деформированном кремнии Электронный ресурс |
|
| Terahertz absorption and emission under photoionization of acceptors in uniaxially stressed silicon | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 21 назв. |
| Аннотация | Представлены данные экспериментальных исследований по наблюдению спонтанного излучения и модуляции поглощения в кремнии, легированном бором при возбуждении излучением СО[2]-лазера, в зависимости от величины приложенного давления вдоль кристаллографических направлений [001] и [011]. В качестве зондирующего использовалось излучение комнатной температуры. Показано, что приложение малых давлений (до 0.5 кбар) приводит к уменьшению потерь в терагерцовом спектре частот на величину порядка 20%. Основной вклад в модуляцию поглощения вызван A{+}-центрами при малых и нулевых давлениях и межподзонными переходами при увеличении давления, что может быть минимизировано использованием компенсированных образцов. |
| Ключевые слова | терагерцовый диапазон частот |
|
фотоионизация акцепторов акцепторы одноосно-деформированный кремний кремний терагерцовое излучение квантово-каскадные лазеры кремниевые лазеры полупроводниковые материалы |
|
|
Ковалевский, К. А. Орлов, М. Л. Цыпленков, В. В. Hubers, H.-W. Dessmann, N. Козлов, Д. В. Шастин, В. Н. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 11. - С. 1479-1483 |
| Имя макрообъекта | Жукавин_поглощение |
| Тип документа | b |
