Поиск

Влияние химического состава слоев Cu-In-Ga-Se на фотопроводимость и эффективность конверсии солнечных элементов CdS/CIGSe

Авторы: Новиков, Г. Ф. Wei-Tao Tsai Бочаров, К. В. Рабенок, Е. В. Ming-Jer Jeng Liann-Be Chang Wu-Shiung Feng Jian-Ping Ao Yun Sun
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/675003230
Дата корректировки 13:00:02 22 мая 2021 г.
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Новиков, Г. Ф.
Влияние химического состава слоев Cu-In-Ga-Se на фотопроводимость и эффективность конверсии солнечных элементов CdS/CIGSe
Электронный ресурс
The influence of Cu-In-Ga-Se layers chemical composition on the photoconductivity and efficiency of CdS/CIGSe solar cells
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил., табл.
Библиография Библиогр.: 49 назв.
Аннотация Проведено исследование влияния соотношения галлия и индия [Ga]/[In+Ga] на микроволновую фотопроводимость пленок Cu-In-Ga-Se (CIGSe) и на эффективность солнечных элементов, изготовленных по идентичной технологии. По наблюдениям полевой эмиссионной электронной микроскопии (FESEM) размер зерна уменьшался с увеличением содержания Ga. Также с увеличением содержания галлия в образцах уменьшалось время жизни фотогенерированного электрона и энергия активации микроволновой фотопроводимости. Изменения энергии активации сквозной проводимости в темноте были < 20%. Анализ полученных данных показал, что известный эффект влияния градиента галлия на кпд следует связывать с модификацией внутренней структуры зерен, а не с их границами.
Ключевые слова тонкопленочные солнечные элементы
полупроводники
поликристаллические халькопириты
галлий
индий
микроволновая фотопроводимость
градиент галлия
Wei-Tao Tsai
Бочаров, К. В.
Рабенок, Е. В.
Ming-Jer Jeng
Liann-Be Chang
Wu-Shiung Feng
Jian-Ping Ao
Yun Sun
Физика и техника полупроводников
2016
Т. 50, вып. 10. - С. 1363-1369
Имя макрообъекта Новиков_влияние
Тип документа b