| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/674138285 |
| Дата корректировки | 12:59:47 12 мая 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2020.07.49481.048 | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Комолов, А. С. | |
|
Прохождение низкоэнергетических электронов и плотность незаполненных состояний сверхтонких слоев TCNQ на поверхности окисленного кремния Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 43 назв. |
| Аннотация | Приведены результаты исследования формирования незаполненных электронных состояний и пограничного потенциального барьера при термическом осаждении пленок тетрацианохинодиметана (TCNQ), толщиной до 7 nm, на поверхность (SiO[2])n-Si. Измерения электронных характеристик исследованной поверхности проводили методом спектроскопии полного тока (TCS) с использованием тестирующего электронного пучка с энергиями в диапазоне от 5 до 20 eV выше уровня Ферми. Формирование пограничного потенциального барьера в структуре (SiO[2])n-Si/TCNQ сопровождалось увеличением работы выхода поверхности от 4.2 ± 0.1 до 4.7 ± 0.1 eV. На основе результатов TCS экспериментов построены зависимости DOUS исследованных пленок TCNQ. Для анализа экспериментальных зависимостей DOUS проведен расчет энергий орбиталей исследованных молекул TCNQ методом теории функционала плотности (DFT) на уровне B3LYP/6-31G(d), с последующей корректировкой и учетом энергии поляризации среды в конденсированном состоянии. В исследованном энергетическом диапазоне DOUS пленок TCNQ имеет четыре основных максимума. Максимум DOUS при энергии 7.0 eV над E[F] образован преимущественно пи*-орбиталями. Три максимума DOUS, расположенные в диапазоне энергий от 8.0 до 20 eV выше E[F], сформированы примерно одинаковым количеством орбиталей пи*- и сигма*- типа. |
| Ключевые слова | ультратонкие пленки |
|
тетрацианохинодиметан электронные свойства сопряженные органические молекулы низкоэнергетическая электронная спектроскопия теория функционала плотности плотность электронных состояний |
|
| Другие авторы | Лазнева, Э. Ф. |
|
Герасимова, Н. Б. Соболев, В. С. Панина, Ю. А. Пшеничнюк, С. А. Асфандиаров, Н. Л. Handke, B. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 62, вып. 7. - С. 1105-1110 |
| Имя макрообъекта | Комолов_прохождение |
| Тип документа | b |
