Поиск

Фотолюминесценция гетероструктур CdTe/ZnTe с номинальными толщинами слоев CdTe от 1 до 8 монослоев, выращенных методом атомного наслаивания

Авторы: Агекян, В. Ф. Серов, А. Ю. Философов, Н. Г. Karczewski, G.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/673700916
Дата корректировки 11:19:19 7 мая 2021 г.
10.21883/FTT.2020.06.49352.011
Служба первич. каталог. Войтик
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 539.21
Агекян, В. Ф.
Фотолюминесценция гетероструктур CdTe/ZnTe с номинальными толщинами слоев CdTe от 1 до 8 монослоев, выращенных методом атомного наслаивания
Электронный ресурс
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 13 назв.
Аннотация Исследована люминесценция слоев CdTe с номинальной толщиной 1, 2, 4 и 8 монослоев (MC), выращенных методом атомного наслаивания в матрице ZnTe. Показано, что слои толщиной 1 и 2 МС проявляют свойства однородных слоев, в то время как слои с толщиной 4 и 8 МС являются планарными массивами квантовых точек (КТ). Размеры КТ и их размерная дисперсия возрастают при увеличении номинальной толщины слоя CdTe. Форма спектров возбуждения люминесценции слоя CdTe в этих образцах сильно различается. Показано, что в зависимости от энергетического расстояния между экситонными уровнями слоев CdTe и матрицы ZnTe сильно изменяется соотношение вкладов в перенос энергии экситона ZnTe и носителей заряда, не связанных в экситон.
Ключевые слова гетероструктуры
фотолюминесценция гетероструктур
экситоны
люминесценция
перенос энергии
Другие авторы Серов, А. Ю.
Философов, Н. Г.
Karczewski, G.
Название источника Физика твердого тела
Место и дата издания 2020
Прочая информация Т. 62, вып. 6. - С. 937-940
Имя макрообъекта Агекян_фотолюминесценция
Тип документа b