| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/673355516 |
| Дата корректировки | 16:59:05 18 июня 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Гладышев, А. Г. | |
|
Оптические свойства квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1520-1580нм Электронный ресурс |
|
| Optical properties of 1520-1580nm spectral region InGaAs/InGaAlAs quantum wells | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 14 назв. |
| Аннотация | Проведены исследования оптических свойств упругонапряженных полупроводниковых гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs / InGaAlAs, предназначенных для формирования активной области лазерных диодов, излучающих в спектральном диапазоне 1520-1580 нм. Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках InP реализованы активные области с различной степенью рассогласования параметров кристаллической решетки слоев квантовых ям InGaAs относительно параметра кристаллической решетки подложки InP. Максимальное относительное несоответствие параметров кристаллической решетки слоев квантовых ям InGaAs составило +2%. Оптические свойства упругонапряженных гетероструктур InGaAlAs /InGaAs / InP исследованы методами фотолюминесценции в диапазоне температур от 20 до 140°C и различной плотности мощности возбуждающего лазера. Исследование оптических свойств экспериментальных образцов InGaAlAs / InGaAs / InP подтверждает возможность применения разработанных упругонапряженных гетероструктур для реализации активных областей лазерных диодов с высокой температурной стабильностью. |
| Ключевые слова | квантовые ямы |
|
упругонапряженные полупроводниковые гетероструктуы полупроводниковые гетероструктуы лазерные диоды молекулярно-пучковая эпитаксия олигонуклеотиды кремниевые наноструктуры арсенид галлия-индия арсенид алюминия галлия-индия |
|
|
Новиков, И. И. Карачинский, Л. Я. Денисов, Д. В. Блохин, С. А. Блохин, А. А. Надточий, А. М. Курочкин, А. С. Егоров, А. Ю. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 9. - С. 1208-1212 |
| Имя макрообъекта | Гладышев_оптические |
| Тип документа | b |
