| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/673350137 |
| Дата корректировки | 10:05:24 3 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Бакулин, А. В. | |
|
Диффузия галогенов на Ga-стабилизированной GaAs(001)-(4*2) поверхности Электронный ресурс |
|
| Halogen diffusion on Ga-stabilized GaAs(001)-(4*2) surface | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 33 назв. |
| Аннотация | Методом проекционных присоединенных волн в плосковолновом базисе проведен расчет атомной и электронной структуры Ga-стабилизированной поверхности GaAs(001) с реконструкцией (4 * 2) и галогенами в ряде симметричных позиций на поверхности. Рассчитаны энергетические барьеры диффузии атомов галогенов на данной поверхности, что позволило определить наиболее предпочтительные пути их миграции. Показано, что для всех рассмотренных галогенов (I, Br, Cl, F) имеется низкий барьер (0.17-0.23 эВ) для их диффузии вдоль поверхностного галлиевого димера, тогда как значение барьера существенно выше для диффузии между смежными галлиевыми димерами. В целом полученные значения энергетических барьеров для диффузии галогенов в обоих направлениях ([110] и [1-10]) указывают на их высокую поверхностную мобильность, несмотря на большие значения энергий связи в ряде позиций адсорбции на поверхности. |
| Ключевые слова | диффузия галогенов |
|
галогены арсенид галлия галлиевые димеры полупроводниковые поверхности газофазное травление |
|
| Кулькова, С. Е. | |
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 9. - С. 1153-1158 |
|
| Имя макрообъекта | Бакулин_диффузия |
| Тип документа | b |
