| Индекс УДК | 544 |
|
Компьютерное исследование структуры силиценового канала с помощью транспорта иона Li{+} в нем Галашев А. Е., Иваничкина К. А. |
|
| Аннотация | Выполнено молекулярно-динамическое моделирование движения иона лития под действием электрического поля в силиценовом канале, находящемся на подложке Ag (111). |
| Название источника | Журнал физической химии |
| Место и дата издания | 2021 |
| Прочая информация | Т. 95, № 4. - С. 562-567 |
