| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/672237568 |
| Дата корректировки | 12:56:49 20 апреля 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2020.04.49117.641 | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Рогинский, Е. М. | |
|
Электронная структура и нелинейная диэлектрическая восприимчивость гамма-фазы оксида теллура Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 23 назв. |
| Аннотация | Теоретически с использованием неэмпирических квантово-механических расчетов изучены структурные, электронные и нелинейные оптические свойства кристалла гамма-TeO[2]. Учет локализации электронов на 5d-орбитали проведен с использованием поправок Хаббарда к функционалу плотности (приближение LDA+U). Использование такого подхода позволило достаточно точно воспроизвести экспериментальные структурные параметры. Электронная структура изучена с использованием квазичастичного приближения G[0]W[0], зарекомендовавшим себя как один из наиболее точных методов расчета зонной структуры. Установлено, что кристалл гамма-TeO[2] представляет собой широкозонный полупроводник с непрямым оптическим переходом. При помощи максимально локализованных функций Ванье выполнен анализ химической связи в этом оксиде и показано, что валентные электроны атомов кислорода находятся в sp3 гибридизации, а валентность атомов теллура равна четырем. |
| Ключевые слова | кристаллы |
|
оксид теллура электронные структуры оптические свойства кристаллов нелинейные оптические свойства |
|
| Другие авторы | Смирнов, М. Б. |
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 62, вып. 4. - С. 547-553 |
| Имя макрообъекта | Рогинский_электронная |
| Тип документа | b |
