| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/671883882 |
| Дата корректировки | 10:24:42 16 апреля 2021 г. |
| 10.15372/KhUR2019162 | |
| Служба первич. каталог. | Феллер |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 544.653.3 |
| Иванченко, С. Н. | |
|
Методы очистки диоксида марганца для получения танталовых конденсаторов с низким эквивалентным последовательным сопротивлением Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 20 назв. |
| Аннотация | Одним из основных требований, предъявляемых к танталовым оксидно-полупроводниковым конденсаторам, является снижение эквивалентного последовательного сопротивления (ЭПС), величина которого напрямую связана с электропроводностью полупроводникового слоя из диоксида марганца, сформированного на поверхности танталового электрода. Анализ современного состояния производства электролитических конденсаторов в России показал, что в отрасли наблюдается устойчивая тенденция к увеличению частот переключения с 10 до 100 кГц и выше, в связи с чем необходимо снижать ЭПС готового конденсатора. В то же время выпускаемая продукция не обладает требуемыми характеристиками для работы при повышенных частотах. Существующие технологические решения не обеспечивают производство высококачественных конденсаторов, поскольку многостадийны, энергоемки и требуют непрерывного совершенствования. Настоящая работа посвя- щена поиску путей улучшения электрических характеристик катодного покрытия из диоксида марганца на танталовых оксидно-полупроводниковых конденсаторах. Проведен теоретический анализ литературных источников с целью определения вероятных причин повышенного ЭПС конденсатора. Методами рентгенофазового и фотомикроскопического анализа исследованы свойства танталовых оксидно-полупроводниковых конденсаторов заводского изготовления, определены их электрические параметры. Показано, что повышение ЭПС конденсаторов обусловлено наличием в составе катодного покрытия на основе диоксида марганца примеси высокорезистивного оксида марганца (III). Установлено, что оксид марганца (III) загрязняет пропиточный раствор нитрата марганца, из которого методом термического разложения получают катодное покрытие на танталовых объемно-пористых анодах. Для снижения ЭПС готового конденсатора разработана методика удаления оксида марганца (III) из полупроводникового покрытия путем очистки прекурсора (нитрата марганца) и модифицирования поверхности катодного покрытия реагентами-окислителями. |
|
оксидно-полупроводниковые конденсаторы диоксид марганца оксид марганца (III) нитрат марганца эквивалентное последовательное сопротивление запрещенная зона танталовые конденсаторы конденсаторы марганец |
|
|
Пойлов, В. З. Старостин, А. Г. Лановецкий, С. В. |
|
|
Химия в интересах устойчивого развития 2019 Т. 27, № 5. - С. 477-482 |
|
| Имя макрообъекта | Иванченко_методы |
| Тип документа | b |
