| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/671817858 |
| Дата корректировки | 16:16:42 15 апреля 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2020.04.49115.555 | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Васильченко, А. А. | |
|
Спектр излучения и стабильность двух типов электронно-дырочной жидкости в мелких Si/Si[1-x]Ge[x]Si квантовых ямах Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 28 назв. |
| Аннотация | На основе расчетов в рамках теории функционала плотности и анализа спектров низкотемпературной фотолюминесценции исследована структура электронно-дырочной жидкости в мелких Si/Si[1-x]Ge[x] Si (100) квантовых ямах шириной 5 nn и содержанием германия x = 3.5.5%. Показано, что для данного диапазона составов квантовых ям энергия локализованной в них квазидвумерной электронно-дырочной жидкости как функция концентрации носителей обнаруживает два локальных минимума. Положение более глубокого (главного) минимума зависит от дизайна квантовой ямы и при низких температурах определяет свойства квазидвумерной электронно-дырочной жидкости. Для серии Si/Si[1-x]Ge[x]Si квантовых ям экспериментально продемонстрирована модификация свойств электронно-дырочной жидкости, которая может быть интерпретирована как смена главного минимума в результате возрастания концентрации германия в слое Si[1-x]Ge[x]. Обсуждается влияние многокомпонентности (электроны, легкие и тяжелые дырки) электронно-дырочной жидкости на спектры низкотемпературной фотолюминесценции Si/Si[1-x]Ge[x] Si квантовых ям. |
| Ключевые слова | электронно-дырочная жидкость |
|
квантовые ямы фотолюминесценция |
|
| Другие авторы | Кривобок, В. С. |
|
Николаев, С. Н. Багаев, В. С. Онищенко, Е. Е. Копытов, Г. Ф. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 62, вып. 4. - С. 529-536 |
| Имя макрообъекта | Васильченко_спектр |
| Тип документа | b |
