| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/671641750 |
| Дата корректировки | 15:18:37 13 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Гаджиалиев, М. М. | |
|
Влияние одноосной деформации на вольт-амперную характеристику p-Ge/n-GaAs гетероструктуры Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 5 назв. |
| Аннотация | Исследовано влияние одноосной деформации с силой до 6 кг/см{2} на вольт-амперную характеристику p-Ge/n-GaAs гетероструктуры при 300 и 77K. Найдено увеличение с давлением как прямого, так и обратного тока, причем изменение прямого тока на порядок больше, чем обратного. Исследована деформация и в зависимости от кристаллографических направлений, обнаружено, что при направлении сжатия, параллельном (111), эффект максимален. Результат может быть использован при создании датчиков одноосной деформации. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
|
арсенид галлия одноосная деформация вольт-амперная характеристика полупроводники датчики |
|
|
Пирмагомедов, З. Ш. Эфендиева, Т. Н. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 8. - С. 1075-1076 |
|
| Имя макрообъекта | Гаджиалиев_влияние |
| Тип документа | b |
