| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/671628594 |
| Дата корректировки | 11:59:56 13 апреля 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2020.03.48999.619 | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Здоровейщев, А. В. | |
|
Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем (Ga,Mn)As Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 12 назв. |
| Аннотация | Изготовлены и исследованы диодные гетероструктуры p-(Ga,Mn)As/n-InGaAs/n{+}-GaAs, отличающиеся толщиной (от 5 до 50 nm) слоя разбавленного магнитного полупроводника (Ga,Mn)As. Обнаружен эффект отрицательного магнетосопротивления, достигающий 6.8% в магнитном поле 3600 Oe, сохраняющийся до температур 70-80 K и связанный с уменьшением рассеяния носителей заряда благодаря магнитному упорядочению в слое (Ga,Mn)As. Зависимость магнетосопротивления от напряжения прямого смещения является немонотонной, причем максимум магнетосопротивления и диапазон напряжений его наблюдения зависят от толщины слоя (Ga,Mn)As. Магнитополевые зависимости магнетосопротивления имеют гистерезисный вид, обусловленный влиянием напряжений растяжения в выращенном поверх релаксированного InGaAs слое (Ga,Mn)As на появление компоненты намагниченности, перпендикулярной поверхности структуры. |
| Ключевые слова | диодные гетероструктуры |
|
гальваномагнитные свойства ферромагнитные полупроводники отрицательное магнетосопротивление импульсное лазерное нанесение |
|
| Другие авторы | Вихрова, О. В. |
|
Данилов, Ю. А. Дорохин, М. В. Калентьева, И. Л. Кудрин, А. В. Здоровейщев, А. В. Ларионова, Е. А. Ковальский, В. А. Солтанович, О. А. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 62, вып. 3. - С. 373-380 |
| Имя макрообъекта | Здоровейщев_диодные |
| Тип документа | b |
