| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/671557455 |
| Дата корректировки | 15:54:18 12 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Соболев, М. М. | |
|
Исследования глубоких уровней GaAs p-i-n-структур Электронный ресурс |
|
| Deep levels studies of GaAs p-i-n-structures | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 28 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты экспериментальных исследований вольт-фарадных характеристик, спектров нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) p{+}-p{0}-i-n{0}-структур на основе нелегированного GaAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии при двух температурах начала кристаллизации 950 и 850°C, без света и при оптической подсветке. Показано, что для эпитаксиальных p{0}-, i- и n{0}-слоев структур характерно наличие дефектов с глубокими уровнями донорного и акцепторного типа с концентрациями, сравнимыми с концентрациями мелких доноров и акцепторов. Обнаружено наличие интерфейсных состояний, которые проявляются для вольт-фарадных характеристик при различных температурах измерения и оптической подсветке и являются аддитивной постоянной. Выявлена сильная температурная зависимость стационарной емкости структур. Обнаружено, что инжекция неосновных носителей заряда при приложенном положительном импульсе заполнения и оптическая перезарядка приводят к модификации структуры и соответственно DLTS-спектров p{+}-p{0}-i-n{0}-структур. Выявлено, что для p{+}-p{0}-i-n{0}-структур GaAs, выращенных при T[b] = 850°C, отсутствуют интерфейсные состояния и перезарядка глубоких ловушек акцепторного типа при оптической подсветке не приводит к изменению вольт-фарадных характеристик. ВDL TS-спектрах, измеренных обычным способом, обнаружено наличие двух дырочных ловушек: HL5 и HL2, характерных для слоев GaAs. |
|
арсенид галлия глубокие уровни GaAs вольт-фарадные характеристики жидкофазная эпитаксия DLTS-спектроскопия полупроводниковые соединения полупроводники |
|
|
Солдатенков, Ф. Ю. Козлов, В. А. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 7. - С. 941-945 |
| Имя макрообъекта | Соболев_исследования |
| Тип документа | b |
