| Индекс УДК | 539.21 |
|
Возможности характеризации кристаллических параметров структур Cd[x]Hg[1-x]Te на подложке из GaAs методом генерации на отражение второй гармоники зондирующего излучения Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Представлены сравнительные результаты численного моделирования и эксперимента при регистрации азимутальных угловых зависимостей сигнала второй гармоники, отраженной от структур Cd[x]Hg[1-x]Te и подложек GaAs, при нормальном падении на образец зондирующего лазерного излучения и азимутальном вращении плоскости его поляризации. По результатам исследования подложек (013) GaAs и буферных слоев CdTe|ZnTe|GaAs выявлено, что отклонения от ориентации поверхности (013) по кристаллофизическим углам тета и фи составили 1-3° у подложек GaAs и до 8° у буферных слоев CdTe|ZnTe|GaAs, причем величину сигнала второй гармоники от буферных слоев можно считать обратно пропорциональной ширине рентгеновских кривых качания на половине максимума. На основе экспериментальных данных показано, что компоненты тензора нелинейной восприимчивости Х[xyz](омега) кристаллической структуры Cd[x]Hg[1-x]Te существенно превосходят по величине аналогичные компоненты тензора в CdTe и GaAs. |
| Ключевые слова | кристаллы |
| Другие авторы | Михайлов, Н. Н. |
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 62, вып. 2. - С. 214-221 |
| Имя макрообъекта | Ступак_возможности |
