| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/671213889 |
| Дата корректировки | 16:37:39 8 апреля 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2020.01.48752.557 | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Мещерских, А. Н. | |
|
Фазовый состав, микроструктура и электропроводность твердых электролитов HfO[2]-R[2]O[3] (R = Sc, Y, Ho, Er, Tm, Yb, Lu) Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 34 назв. |
| Аннотация | Изучено влияние добавки 11mol% R[2]O[3] (R = Sc, Y, Ho, Er, Tm, Yb, Lu) на фазовый и элементный состав, микроструктуру и электропроводность оксида гафния. При введении в HfO[2] всех добавок, за исключением скандия, образуются твердые растворы с кубической структурой типа флюорита. Образец HfO[2]-Sc[2]O[3] представляет собой фазу Hf[7]Sc[2]O[17], имеющую решетку типа флюорита с ромбоэдрическими искажениями, претерпевающую обратимые изменения в кубическую структуру при температуре ~ 760°C. Установлено, что природа допанта практически не влияет на микроструктуру керамики HfO[2]-R[2]O[3]; все образцы являются крупнокристаллическими с размером зерна до 10 мю m. Показано, что проводимость образцов HfO[2]-R[2]O[3] определяется объемом зерен. Наиболее перспективными материалами для применения в качестве твердооксидного электролита являются составы HfO[2]-Tm[2]O[3] и HfO[2]-Yb[2]O[3], в которых высокая проводимость сочетается со структурной устойчивостью. |
| Ключевые слова | твердые электролиты |
|
твердооксидные электролиты оксид гафния редкоземельные элементы фазовые переходы электропроводность |
|
| Другие авторы | Кольчугин, А. А. |
|
Антонов, Б. Д. Дунюшкина, Л. А. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 62. вып.1. - С. 145-152 |
| Имя макрообъекта | Мещерских_фазовый |
| Тип документа | b |
