| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/671189869 |
| Дата корректировки | 9:46:14 8 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Саченко, А. В. | |
|
К вопросу об омичности контактов Шоттки Электронный ресурс |
|
| Другая форма заглавия | On the issue of ohmicity of Schottky contacts |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 24 назв. |
| Аннотация | Проанализированы условия реализации омических контактов в cлучае контактов Шоттки. На основе классических представлений о механизмах токопрохождения рассмотрена обобщенная модель контакта Шоттки, учитывающая термоэлектронный ток основных носителей заряда и рекомбинационный ток неосновных носителей заряда в контактах Шоттки с диэлектрическим зазором. Анализ результатов использованной модели позволил получить критерии омичности контактов Шоттки и сопоставить между собой условия малого уровня инъекции и омичности контактов Шоттки для контактов на основе кремния. Показано, что условия омичности контакта Шоттки не совпадают с таковыми для случая p-n-переходов. |
| Ключевые слова | омичность |
|
контакты Шоттки омические контакты металл–полупроводники кремний диэлектрический зазор полупроводники |
|
|
Беляев, А. Е. Конакова, Р. В. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 6. - С. 777-784 |
| Имя макрообъекта | Саченко_к вопросу |
| Тип документа | b |
