| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/671188266 |
| Дата корректировки | 9:21:49 8 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Прокофьева, Л. В. | |
|
Примесь олова в термоэлектрике ZnSb: генерация и компенсация носителей заряда Электронный ресурс |
|
| Tin impurity in thermoelectric ZnSb: charge carrier generation and compensation | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
| Аннотация | Метод измерения коэффициентов Холла и электропроводности в режиме термоциклов использован для исследования влияния примеси Sn на микроструктуру и свойства прессованных образцов ZnSb. Олово вводилось как избыточный компонент (0.1 и 0.2 ат%) и как примесь замещения атомов Zn и Sb в концентрации (2-2.5 ат%). Температурные зависимости параметров слабо легированных образцов обнаруживают принципиальное сходство с аналогичными кривыми для ZnSb с 0.1 ат% Cu. Наибольшая холловская концентрация 1.4 · 1019 cm{-3} при 300K получена при введении 0.1 ат% Sn, безразмерная термоэлектрическая эффективность имеет максимальное значение 0.85 при 660K. Экспериментальные результаты обсуждаются в предположении двух механизмов легирования, эффективных в разных диапазонах температур, с определяющей ролью вакансий цинка как акцепторных центров. В двух образцах ZnSb с добавками SbSb и ZnSn обнаружен эффект компенсации носителей заряда. Его проявление зависит от температуры и сильно различается вследствие разного легирования образцов. Как и в p-материалах A{IV}B{VI} с малым содержанием Sb, компенсация дырок может бытьс вязана с перезарядкой атомов Sn{2+} - Sn{4+}, рассматриваются виды компенсирующих комплексов. |
| Ключевые слова | термоэлектрика |
|
носители заряда олово антимонид цинка легирование холловская концентрация |
|
|
Константинов, П. П. Шабалдин, А. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 6. - С. 757-766 |
|
| Имя макрообъекта | Прокофьева_примесь |
| Тип документа | b |
