Поиск

Модифицирование BaCe[0.5]Zr[0.3]Y[0.2]O[3-бета] оксидом меди: влияние на структурные и транспортные свойства

Авторы: Лягаева, Ю. Г. Дёмин, А. К. Вдовин, Г. К. Николаенко, И. В. Медведев, Д. А. Демин, А. К.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/671044918
Дата корректировки 17:42:22 6 апреля 2021 г.
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Лягаева, Ю. Г.
Модифицирование BaCe[0.5]Zr[0.3]Y[0.2]O[3-бета] оксидом меди: влияние на структурные и транспортные свойства
Электронный ресурс
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил., табл.
Библиография Библиогр.: 21 назв.
Аннотация Исследовано влияние концентрации добавки СuO на спекаемость, фазовый состав, микроструктуру и электрические свойства протонпроводящего материала состава BaCe[0.5]Zr[0.3]Y[0.2]O[3-бета]. Керамические образцы были получены с помощью цитрат-нитратного метода синтеза с добавлением оксида меди в массовом количестве 0, 0.25, 0.5 и 1%. Показано, что для образцов с 0.5 и 1% CuO их относительная плотность составляет > 94% при температуре спекания 1450°C, тогда как при меньшем содержании спекающей добавки она не превышает 85%. По результатам рентгенофазового анализа и растровой электронной микроскопии установлено, что введение небольшого количества добавки СuO (0.25%) недостаточно для формирования однофазной и высокоплотной керамики. Данные электропроводности и растровой электронной микроскопии показывают, что образец состава BaCe[0.5]Zr[0.3]Y[0.2]O[3-бета] + 0.5% CuO обладает высокой общей и ионной проводимостью, а также устойчивостью после водородного восстановления керамики. Цитрат-нитратный метод, модифицированный введением небольшого количества оксида меди, может быть рекомендован для получения однофазных, газоплотных и высокопроводящих электролитов на основе как BaCeO[3], так и BaZrO[3].
Дёмин, А. К.
Ключевые слова оксидные проводники
оксид меди
рентгенофазовый анализ
растровая электронная микроскопия
медьсодержащая керамика
Вдовин, Г. К.
Николаенко, И. В.
Медведев, Д. А.
Демин, А. К.
Физика и техника полупроводников
2016
Т. 50, вып. 6. - С. 854-858
Имя макрообъекта Лягаева_модифицирование
Тип документа b