Поиск

Переключение между режимами синхронизации мод и модуляции добротности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами при изменении свойств поглотителя за счет эффекта Штарка

Авторы: Гаджиев, И. М. Буяло, М. С. Губенко, А. Е. Егоров, А. Ю. Усикова, А. А. Ильинская, Н. Д. Лютецкий, А. В. Задиранов, Ю. М. Портной, Е. Л.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/670958713
Дата корректировки 17:33:30 5 апреля 2021 г.
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Гаджиев, И. М.
Переключение между режимами синхронизации мод и модуляции добротности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами при изменении свойств поглотителя за счет эффекта Штарка
Электронный ресурс
Switching between mode-locking and Q-switching modes in two-sectional quantum well lasers under absorber properties change due to Stark effect
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил., табл.
Библиография Библиогр.: 11 назв.
Аннотация В двухсекционных лазерах с тремя квантовыми ямами реализованы режимы пассивной модуляции добротности и пассивной синхронизации мод. Показано, что увеличение обратного смещения на поглощающей секции приводит к изменению спектральных и динамических свойств поглотителя и соответственно к переходу от режима модуляции добротности к синхронизации мод. Частота следования импульсов в режиме синхронизации мод составила 75 ГГц, при этом произведение длительности импульсов на ширину спектра составило 0.49, что близко к теоретическому пределу. Показано, что в структурах с тремя квантовыми ямами большая величина поглощения на длине волны лазерной генерации приводит к фототоку через секцию насыщающегося поглотителя, достаточному для компенсации приложенного смещения.
Ключевые слова двухсекционные лазеры
квантовые ямы
эффект Штарка
модуляции добротности
синхронизации мод
молекулярно-пучковая эпитаксия
полупроводники
Буяло, М. С.
Губенко, А. Е.
Егоров, А. Ю.
Усикова, А. А.
Ильинская, Н. Д.
Лютецкий, А. В.
Задиранов, Ю. М.
Портной, Е. Л.
Название источника Физика и техника полупроводников
Место и дата издания 2016
Прочая информация Т. 50, вып. 6. - С. 843-847
Имя макрообъекта Гаджиев_переключение
Тип документа b