| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Оптические свойства тонких пленок соединения In[2]Se[3] Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Методом ионно-лучевого испарения при температурах подложки 313 и 623 K получены пленки соединения In[2]Sе[3]. В качестве мишени использовались монокристаллы указанного соединения, выращенные вертикальным методом Бриджмена. Методом рентгеноспектрального анализа определен состав, рентгеновским методом - структура полученных кристаллов и пленок. Установлено, что как кристаллы, так и пленки кристаллизуются в гексагональной структуре. По спектрам пропускания и отражения определены значения ширины запрещенной зоны пленок In[2]Sе[3], а также показателя преломления. Установлено, что с ростом температуры подложки ширина запрещенной зоны увеличивается. |
| Ключевые слова | cеленид индия (III) |
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 6. - С. 731-734 |
|
| Имя макрообъекта | Боднарь_оптические |
