| Индекс УДК | 539.21 |
|
Электронно-микроскопические исследования образования структурных дефектов в ZnS при облучении электронами с энергией 400 keV Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Методом просвечивающей электронной микроскопии исследованы кристаллы ZnS, выращенные из газовой фазы, и эпитаксиальные структуры ZnS/(001)GaAs, выращенные методом металлоорганической парофазной эпитаксии, после облучения in situ в электронном микроскопе при энергии электронов 400 keV и интенсивности (1-4) · 10{19} e/cm{2} · s. Показано, что при облучении происходит образование мелких дислокационных петель с размерами 2.5-45 nm и плотностью 1.4 · 10{11} cm{-2}, а также пор и выделений новой фазы с размерами < или = 10 nm. Выделения могут быть идентифицированы с помощью анализа муарового контраста как ZnO и ZnO[2]. |
| Ключевые слова | кристаллы сульфида цинка |
| Другие авторы | Брильков, А. В. |
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 58, вып. 12. - С. 2380-2383 |
| Имя макрообъекта | Логинов_электронно-микроскопические |
