| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/670948762 |
| Дата корректировки | 14:57:24 5 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Зобов, Е. М. | |
|
Энергетический спектр электронных центров прилипания в CuInAsS[3] Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 11 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты исследования энергетического спектра электронных состояний, обусловленных центрами прилипания, роль которых в CuInAsS[3] играют дефекты кристаллической решетки. Результаты анализа кривых термостимулированного тока в CuInAsS[3] показывают, что энергетический спектр центров прилипания локализован под дном зоны проводимости в интервале энергий E[C] - (0.14.0.35) eV. |
| Ключевые слова | халькогениды меди |
|
электрические свойства кристаллов энергетический спектр электронных состояний электронные центры прилипания |
|
| Другие авторы | Моллаев, А. Ю. |
|
Сайпулаева, Л. А. Алибеков, А. Г. Мельникова, Н. В. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т.58, вып. 12. - С. 2369-2371 |
| Имя макрообъекта | Зобов_энергетический |
| Тип документа | b |
