| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/670934098 |
| Дата корректировки | 10:51:53 5 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Комков, О. С. | |
|
Фотоотражение антимонида индия Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 27 назв. |
| Аннотация | Методом фотомодуляционной инфракрасной фурье-спектроскопии измерены спектры фотоотражения слоeв n-InSb. Образцы выращены молекулярно-пучковой эпитаксией на сильнолегированных подложках n{+}-InSb (001), отожжeнных в различных режимах. По периоду наблюдаемых в спектрах фотоотражения осцилляций Франца-Келдыша определялась напряжeнность приповерхностного электрического поля. Отмечено, что его значение возрастает при длительном хранении образцов на воздухе. Обработка слоeв n-InSb в 1M водном растворе Na[2]S приводила к увеличению измеряемого поля. Ранее было показано, что при такой обработке поверхностный уровень Ферми сдвигается в глубь зоны проводимости и, вероятно, не зависит от условий и времени предварительного хранения образцов. С использованием пассивации в Na[2]S развитый в работе оптический метод позволяет бесконтактно измерять концентрацию электронов в гомоэпитаксиальных слоях n-InSb. |
| Ключевые слова | антимонид индия |
| фотоотражение антимонида индия | |
| Другие авторы | Фирсов, Д. Д. |
|
Львова, Т. В. Седова, И. В. Семeнов, А. Н. Соловьeв, В. А. Иванов, С. В. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 58, вып.12. - С. 2307-2313 |
| Имя макрообъекта | Комков_фотоотражение |
| Тип документа | b |
