| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/670667799 |
| Дата корректировки | 8:59:27 2 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Данилов, Ю. А. | |
|
Формирование однофазного ферромагнитного полупроводника (Ga,Mn)As импульсным лазерным отжигом Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 14 назв. |
| Аннотация | Показано, что слои (Ga,Mn)As, сформированные методом имплантации ионов Mn{+} в GaAs и последующего отжига импульсом эксимерного лазера с плотностью энергии до 200-300 mJ/cm2, обладают свойствами полупроводника p-типа и ферромагнитными свойствами. Определена пороговая доза имплантированных ионов ( ~ 10{15} cm{-2}) для активации акцепторов Mn. С дальнейшим повышением дозы ионов Mn{+} увеличивается слоевая концентрация дырок и температура Кюри. Петли гистерезиса в магнитополевых зависимостях эффекта Холла, отрицательное магнетосопротивление, магнитные и структурные исследования свидетельствуют о том, что слои являются аналогами однофазных ферромагнитных соединений (Ga,Mn)As, сформированных методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. |
| Ключевые слова | полупроводники |
|
ферромагнитные полупроводники однофазные ферромагнитные полупроводники лазерный отжиг импульсный лазерный отжиг |
|
| Другие авторы | Boudinov, H. |
|
Вихрова, О. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, А. В. Павлов, С. А. Парафин, А. Е. Питиримова, Е. А. Якубов, Р. Р. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 58, вып. 11. - С. 2140-2144 |
| Имя макрообъекта | Данилов_формирование |
| Тип документа | b |
