| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/670608797 |
| Дата корректировки | 16:36:45 1 апреля 2021 г. |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Саченко, А. В. | |
|
Моделирование реальных значений кпд высокоэффективных кремниевых солнечных элементов Электронный ресурс |
|
| Simulation real efficiency of high-efficiency silicon solar cells | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 12 назв. |
| Аннотация | Выполнено моделирование эффективности фотопреобразования высокоэффективных солнечных элементов на основе кремния, работающих в полевых (натурных) условиях. Их рабочая температура определялась самосогласованно, путем совместного решения уравнений для фототока, фотонапряжения, а также уравнения баланса потоков энергии. Учтены радиационный и конвекционный механизмы охлаждения. Показано, что рабочая температура солнечных элементов выше температуры окружающей среды даже при очень больших коэффициентах конвекции (~ 300 Вт/м{2} · K). Соответственно эффективность фотопребразования при этом меньше, чем в случае, когда температура солнечных элементов равна температуре окружающей среды. Получены и обсуждены расчетные зависимости для напряжения разомкнутой цепи и эффективности фотопреобразования высококачественных кремниевых солнечных элементов при концентрированном освещении с учетом реальной температуры солнечных элементов. |
| Костылёв, В. П. | |
| Ключевые слова | высокоэффективные солнечные элементы |
|
кремний кремниевые солнечные элементы фотопреобразование конвекция радиационное охлаждение случай концентрированного освещения полупроводниковые приборы |
|
|
Шкребтий, А. И. Коркишко, Р. М. Костылев, В. П. Кулиш, Н. Р. Соколовский, И. О. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 4. - С. 531-537 |
| Имя макрообъекта | Саченко_моделирование |
| Тип документа | b |
