| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/670437111 |
| Дата корректировки | 16:50:36 30 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Паршин, А. С. |
| Заглавие | Послойный анализ методом спектроскопии сечения неупругого рассеяния электронов распределения диоксида кремния по толщине в структуре SiO[2]/Si(111) |
| Физич. носитель | Электронный ресурс |
| Layer-by-layer analysis by inelastic-electron-scattering cross section spectroscopy of thickness silicon dioxide distribution in the SiO[2]/Si(111) structure | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 11 назв. |
| Аннотация | Из экспериментальных спектров сечения неупругого рассеяния отраженных электронов в диапазоне энергий первичных электронов от 300 до 3000 эВ определен профиль концентрации SiO[2] в структуре SiO[2]/Si(111). Анализ спектров проведен с использованием предложенного алгоритма и разработанной программы компьютерного моделирования спектров сечения неупругого рассеяния отраженных электронов для слоистых структур с произвольным количеством слоев, произвольной толщины и переменной концентрацией компонентов в каждом слое. Варьированием концентраций диоксида кремния и кремния в каждом слое достигалось наилучшее согласие между расчетными и экспериментальными спектрами. Результаты могут быть использованы для профилирования структур пленка-подложка с произвольным составом компонентов. |
| Ключевые слова | спектроскопия |
|
диоксид кремния спектры сечения кремний рассеяние электронов полупроводниковые структуры |
|
| Другие авторы | Кущенков, C. А. |
|
Пчеляков, О. П. Михлин, Ю. Л. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 3. - С. 344-349 |
| Имя макрообъекта | Паршин_послойный |
| Тип документа | b |
