Поиск

Влияние фотоупругого и пьезоэлектрического эффектов на энергетические характеристики пропускающих и отражательных голограмм в фоторефрактивном кристалле

Авторы: Навныко, В. Н. Шепелевич, В. В. Макаревич, А. В. Шандаров, С. М.
Подробная информация
Индекс УДК 539.2
535.33
Влияние фотоупругого и пьезоэлектрического эффектов на энергетические характеристики пропускающих и отражательных голограмм в фоторефрактивном кристалле
В. Н. Навныко, В. В. Шепелевич, А. В. Макаревич, С. М. Шандаров
Аннотация Построена поверхность нормальной составляющей компонент обратного тензора диэлектрической проницаемости кубического фоторефрактивного пьезокристалла Bi[12]SiO[20] с записанной внутри объемной фазовой голографической решеткой с волновым вектором, ориентированным вдоль кристаллографического направления. Установлено, что совместное действие фотоупругого и пьезоэлектрического эффектов приводит к увеличению нормальной составляющей компонент обратного тензора диэлектрической проницаемости вдоль направления и уменьшению нормальной составляющей компонент обратного тензора диэлектрической проницаемости в перпендикулярном направлении. Показано, что анизотропия вклада фотоупругого и пьезоэлектрического эффектов обусловливает увеличение оптимизированных по азимутам линейной поляризации световых волн значений выходных энергетических характеристик для пропускающей голограммы и их уменьшение для отражательной голограммы.
Название источника Журнал прикладной спектроскопии
Место и дата издания 2020
Прочая информация Т. 87, № 4. - С. 658-666