| Маркер записи | n 22 3 4500 |
| Контрольный номер | zhps20_to87_no6_ss891_ad1 |
| Дата корректировки | 13:01:42 30 марта 2021 г. |
| Кодируемые данные | 210322s2020||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
| Системный контрольный номер | RUMARS-zhps20_to87_no6_ss891_ad1 |
| AR-MARS | |
| Служба первич. каталог. |
Научная библиотека им. М. М. Бахтина Мордовского госуниверситета им. Н. П. Огарева МАРС |
| Код языка каталог. | rus |
| Код языка издания |
eng eng |
| Индекс УДК | 535.33 |
| Индекс ББК | 22.344 |
| Таблицы для массовых библиотек | |
|
Zhang, Y. 070 |
|
|
Optical characterization of native defects in 4h-sic irradiated by 10 mev electrons with subsequent annealing Y. Zhang, K. Wang, H. Wang [et al.] |
|
|
Оптические характеристики собственных дефектов 4H-SiC, облученного 10-МэВ электронами с последующим отжигом rus |
|
| Текст | |
| непосредственный | |
| Библиография | Библиогр.: с. 896 (20 назв. ) |
| Аннотация | Для исследования дефектов кристаллов 4H-SiC использована низкотемпературная фотолюминесценция после облучения высокоэнергетическими электронами. Изучены характеристики отжига и зависимость температуры детектирования от доз облучения. Результаты показывают, что в облученном электронами кристалле 4H-SiC доминирует эмиссия, связанная с дефектами углеродная антиструктура-вакансия (V[C]C[Si]) {+}. С повышением температуры детектирования излучение уменьшается и сдвигается в красную область, а полная ширина на полувысоте увеличивается, что связано с повышением концентрации носителей в результате термической активации при высокой температуре. Интенсивность излучения максимальна при дозе облучения 7. 9 * 10{18} эл/см{2}, затем она уменьшается. Это свидетельствует о повреждении решетки, вызванном длительным высокоэнергетическим облучением, что уменьшает интенсивность радиационного дефекта в спектре. |
|
Физика AR-MARS Спектроскопия AR-MARS |
|
| Ключевые слова |
карбид кремния низкотемпературная фотолюминесценция радиационные дефекты фотолюминесценция электронное облучение |
|
Wang, K. 070 Wang, H. 070 Tian, Y. 070 Wang, Y. 070 Li, J. 070 Chai, Y. 070 |
|
| ISSN | 0514-7506 |
| Название источника | Журнал прикладной спектроскопии |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 87, № 6. - С. 891-896 |
|
RU 43013090 20210322 RCR |
|
|
RU 43013090 20210322 |
|
|
RU AR-MARS 20210322 RCR |
|
|
RU AR-MARS 20210322 |
|
| Тип документа | b |
|
code year to no ss ad |
|
|
zhps 2020 87 6 891 1 |
|
| 718 | |
| Аннотации англоязычных статей |
