| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669913306 |
| Дата корректировки | 15:25:33 24 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Домашевская, Э. П. | |
|
Глубокие центры на границе раздела в гетероструктурах In[2x]Ga[2][(1-x)]Te[3]/InAs и In[2]Te[3]/InAs Электронный ресурс |
|
| Deep centers at the interface in the heterostructures In[2x]Ga[2][(1-x)]Te[3]/InAs and In[2]Te[3]/InAs | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 31 назв. |
| Аннотация | Методами адмиттанса, вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик изучены гетероструктуры In[2x]Ga[2][(1-x)]Te[3]/InAs и In[2]Te[3]/InAs, полученные технологиями квазизамкнутого объема и напыления. Установлен спектр распределения локальных энергетических уровней на границе раздела. Методом адмиттанса обнаружен новый акцепторный центр с энергией 0.36 эВ наряду с известным донором с энергией 0.5 эВ. Концентрация акцепторных центров Nt зависит от способа получения и технологических режимов. Кинетика генерационно-рекомбинационных процессов в интервале температур 70-400K не влияет на изолирующие свойства диэлектрического слоя In[2]Te[3] или In[2x]Ga[2][(1-x)]Te[3], поэтому показана возможность использования их в качестве гетероструктур полевых транзисторов. |
|
гетероструктуры полупроводниковые соединения арсенид индия теллурид индия фононные колебания |
|
|
Михайлюк, Е. А. Прокопова, Т. В. Безрядин, Н. Н. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 3. - С. 313-318 |
| Имя макрообъекта | Домашевская_глубокие |
| Тип документа | b |
