| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Влияние фононного увлечения на термоэдс в параболической квантовой яме Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Развита теория термоэдс увлечения, возникающая при наличии градиента температуры в плоскости слоя двумерного электронного газа в параболической квантовой яме. Рассматриваются механизмы взаимодействия электронов c акустическими фононами, с учетом экранирования потенциала взаимодействия. Установлено, что существенный вклад в термоэдс двумерного электронного газа дает эффект увлечения электронов фононами. Показано, что учет экранирования значительно влияет на величину термоэдс увлечения. Для температурной зависимости термоэдс в параболической квантовой яме GaAs/AlGaAs в интервале температур 1.10K установлено хорошее согласие полученных теоретических результатов с экспериментом. |
| Ключевые слова | фононы |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 3. - С. 298-301 |
| Имя макрообъекта | Гасанов_влияние |
