| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669893852 |
| Дата корректировки | 12:52:53 1 декабря 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Кукушкин, С. А. | |
|
Эпитаксиальный оксид галлия на подложках SiC/Si Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 27 назв. |
| Аннотация | Методом хлоридной эпитаксии на пластинах кремния ориентации (111) с буферным слоем нано SiC выращены хорошо текстурированные, близкие по структуре к эпитаксиальным слои оксида галлия бета-Ga[2]O[3] толщиной ~ 1 мю m. Для улучшения роста на поверхности кремния предварительно был синтезирован методом замещения атомов высококачественный буферный слой карбида кремния толщиной ~ 100 nm. Пленки бета-Ga[2]O[3] всесторонне исследованы методами электронографии, эллипсометрии, рентгеноструктурного анализа, растровой электронной микроскопии и микрорамановской спектроскопии. Исследования показали, что пленки текстурированы со структурой, близкой к эпитаксиапльной, и состоят из чистой бета-фазы Ga[2]O[3], имеющей ориентацию (201). Измерена зависимость диэлектрической проницаемости эпитаксиального бета-Ga[2]O[3] от энергии фотона в дипазоне 0.7-6.5 eV в изотропном приближении. |
|
пленки эпитаксиальные пленки эпитаксиальный оксид галлия оксид галлия |
|
| Другие авторы | Николаев, В. И. |
|
Осипов, А. В. Осипова, Е. В. Печников, А. И. Феоктистов, Н. А. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 58, вып. 9. - С. 1812-1817 |
| Имя макрообъекта | Кукушкин_эпитаксиальный оксид |
| Тип документа | b |
