| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669891048 |
| Дата корректировки | 12:51:54 1 декабря 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Митцев, М. А. | |
|
Влияние границ раздела "нанопленки иттербия-кремний Si(111)" на валентность иттербия Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
| Аннотация | Измерены значения работы выхода пленок иттербия нанометровой толщины (от 1 до 16 монослоев). Пленки создавались путем напыления иттербия в сверхвысоком вакууме на кремниевые подложки Si(111)7 · 7 n- и p-типа проводимости, имеющие удельное сопротивление от 1 до 20 омега · cm. Показано, что при толщинах пленок, меньших 8 монослоев, работа выхода немонотонно зависит от количества осажденного на поверхность иттербия (осцилляции Фриделя). При толщинах же, превышающих 8 монослоев, работа выхода принимает постоянное значение (3.3 eV), превышающее аналогичное значение для макроскопических образцов (2.6 eV). Указанное различие обусловлено тем, что при формировании границы раздела Yb-Si из- за большой разницы в работах выхода иттербия и кремния (4.63 eV) происходит значительное перетекание электронов из металла в полупроводник. Этот уход электронов из пленок сопровождается снижением 5d-уровня иттербия ниже уровня Ферми. В результате повышается валентность металла, а вместе с нею растет и работа выхода. |
|
нанопленки пленки иттербия иттербий-кремний валентность иттербия |
|
| Другие авторы | Кузьмин, М. В. |
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 58, вып. 9. - С. 1794-1797 |
| Имя макрообъекта | Митцев_влияние |
| Тип документа | b |
