| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669550937 |
| Дата корректировки | 10:42:02 20 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.3.035.455 |
| Бакулин, А. В. | |
|
Адсорбция галогенов на As-стабилизированной бета2-GaAs(001) - (2*4) поверхности Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 30 назв. |
| Аннотация | Методом проекционных присоединенных волн в плосковолновом базисе проведено изучение адсорбции галогенов (F, Cl, Br, I) на As-стабилизированной поверхности GaAs(001) с реконструкцией бета2-(2*4). Анализируется влияние галогенов на структурные и электронные характеристики поверхности полупроводника. Показано, что T'[2]-позиция на краю вакансионного ряда энергетически является наиболее предпочтительной для адсорбции F, Cl и Br, тогда как I предпочитает H[3]-позицию между смежными димерами мышьяка третьего от поверхности слоя. Образование связи Ga-галоген предполагает перенос заряда через опустошение занятых орбиталей поверхностных атомов димеров мышьяка, что ведет к ослаблению Ga-As-связей в подложке. Проведены оценки ослабления связей между поверхностными атомами подложки вследствие взаимодействия галогенов с поверхностью |
| Ключевые слова | адсорбция галогенов |
|
галогены полупроводники полупроводниковые поверхности атомная структура поверхности электронная структура поверхности галлий |
|
| Кулькова, С. Е. | |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 2. - С. 171-179 |
| Имя макрообъекта | Бакулин_адсорбция |
| Тип документа | b |
