| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669546680 |
| Дата корректировки | 8:30:33 22 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.3.032.22 |
| Астрова, Е. В. | |
|
Электрохимические характеристики наноструктурированных кремниевых анодов для литий-ионных аккумуляторов Электронный ресурс |
|
| Electrochemical characteristics of nano-structured silicon anodes for Li-ion batteries | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 33 назв. |
| Аннотация | Изучены периодические высокоаспектные структуры с тонкими вертикальными стенками с точки зрения применимости их в качестве отрицательных электродов литий-ионных аккумуляторов. Наноструктуры изготовлены из монокристаллического кремния с помощью фотолитографии, электрохимического анодирования и последующего анизотропного шейпинга. Проведено сравнение емкости на единицу видимой поверхности электрода и удельной площади внутренней поверхности для структур разной архитектуры: одномерных - столбиков, двумерных - зигзагообразных стенок и трехмерных структур в виде сетки. Основное внимание уделено ресурсным испытаниям анодов на основе зигзага и сетки путем гальваностатического циклирования их в полуячейках с литиевым противоэлектродом. Определено влияние геометрических параметров Si-структур и режима тестирования на скорость деградации. Показано, что лимитирующим фактором процесса внедрения и экстракции лития является диффузия, а ресурс электрода резко возрастает при ограничении зарядной емкости величиной ~ 1000 мА · ч/г. При этом наноструктуры со стенками толщиной 300 нм, подвергшиеся циклическим испытаниям со скоростью 0.36C, сохраняют постоянное значение разрядной емкости и кулоновскую эффективность, близкую к 100%, в течение более чем 1000 циклов. |
| Ключевые слова | кремниевые аноды |
|
наноструктурированные кремниевые аноды литий-ионные аккумуляторы фотолитография электрохимическое анодирование анизотропный шейпинг гальваностатическое циклирование кремний Si-аноды |
|
|
Ли, Г. В. Румянцев, А. M. Жданов, В. В. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 2. - С. 279-286 |
| Имя макрообъекта | Астрова_электрохимические |
| Тип документа | b |
