| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669486410 |
| Дата корректировки | 16:45:24 19 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.039.61:533.9.082.74 |
| Яфаров, Р. К. | |
|
Морфологическая устойчивость атомно-чистой поверхности кристаллов кремния (100) после СВЧ плазмохимической обработки Электронный ресурс |
|
| Morphological stability of atomically clean surface of silicon (100) crystals after microwave plasmochemical processing | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 9 назв. |
| Аннотация | Исследована морфологическая устойчивость атомно-чистой поверхности кремния (100) после низкоэнергетичного СВЧ плазмохимического травления в различных плазмообразующих средах. Установлено, что релаксационные изменения поверхностной плотности и высоты атомных выступов после плазменной обработки в инертной и химически активной средах имеют разнонаправленный характер. После обработки в среде хладона-14 минимизация свободной энергии осуществляется в результате уменьшения поверхностной плотности микровыступов и увеличения их высоты. После обработки в плазме аргона наблюдается незначительное возрастание плотности выступов при одновременном уменьшении высот. Рассмотрены физико-химические процессы, обусловливающие эти изменения. |
| Ключевые слова | кристаллы кремния |
|
СВЧ плазмохимическая обработка плазмохимическое травление плазменная обработка диоксид кремния |
|
| Шаныгин, В. Я. | |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 1. - С. 55-59 |
| Имя макрообъекта | Яфаров_морфологическая |
| Тип документа | b |
