| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669304105 |
| Дата корректировки | 15:07:19 17 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.793 |
| Лядов, Н. М. | |
|
Структура и оптические свойства ZnO c наночастицами серебра Электронный ресурс |
|
| Structure and optical properties of ZnO with silver nanoparticles | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 25 назв. |
| Аннотация | Методом ионно-стимулированного осаждения были синтезированы текстурированные тонкие пленки ZnO с нанокристаллической структурой. По данным рентгеновской дифракции размер кристаллитов составляет ~ 25 нм. Получены гистограммы распределения наночастиц по размерам. Взависимости от дозы имплантации ионов серебра средний размер наночастиц серебра меняется от 0.5 до 1.5-2 нм. Оптическое пропускание образцов в видимой и ближней УФ области увеличивается с ростом дозы имплантации. Рассчитаны спектральные зависимости коэффициента поглощения имплантированных пленок с использованием модели поглощающая пленка/прозрачная подложка. Установлено, что основные изменения в спектрах оптической плотности происходят в области ~ 380 нм, где основной вклад в поглощение вносят наночастицы серебра диаметром менее 0.75 нм. В данной области спектра поглощение последовательно уменьшается с ростом дозы облучения ионами серебра, что связано с увеличением среднего размера наночастиц серебра. Установлено, что широкие полосы поверхностного плазмонного резонансного поглощения, характерные для синтезированных методом ионной имплантации нанокомпозитных пленок ZnO с наночастицами серебра, обусловлены тем, что размер формирующихся наночастиц не превышает 1.5-2 нм. |
| Ключевые слова | ZnO |
|
оксид цинка наночастицы серебра спектры оптической плотности широкозонные оксидные полупроводники спектры оптической плотности имплантированные тонкие пленки ZnO |
|
|
Гумаров, А. И. Кашапов, Р. Н. Носков, А. И. Валеев, В. Ф. Нуждин, В. И. Базаров, В. В. Хайбуллин, Р. И. Файзрахманов, И. А. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 1. - С. 44-50 |
| Имя макрообъекта | Лядов_структура |
| Тип документа | b |
