| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669297105 |
| Дата корректировки | 13:27:39 17 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.61:537.226 |
| Левчук, Е. А. | |
|
Управление электронными состояниями мелкого донора при помощи металлического затвора конечных размеров Электронный ресурс |
|
| Control of electronic states for shallow donors with a metallic gate of finite size | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 17 назв. |
| Аннотация | Проведено численное моделирование влияния внешнего электрического поля на состояния мелкого донора, находящегося вблизи поверхности полупроводника. В качестве источника электрического поля рассматривался металлический затвор дискообразной формы. Для нахождения волновых функций и энергий связанных состояний использовался метод конечных элементов. Определены критические характеристики передислокации электрона от донора к затвору с учетом разницы диэлектрических проницаемостей материалов, для различных диаметров затвора, граничных условий. Получены эмпирические зависимости этих характеристик от геометрических параметров и свойств полупроводника. Предложена также пробная функция простого вида, которая может быть использована для расчетов критических параметров с использованием вариационного метода Ритца. |
|
металлические затворы доноры электрона затвор-донор метод конечных элементов метод Ритца диэдектрики диэлектрическая проницаемость |
|
| Макаренко, Л. Ф. | |
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 1. - С. 89-96 |
|
| Имя макрообъекта | Левчук_управление |
| Тип документа | b |
